NTMFS7D8N10GTWG

onsemi
863-NTMFS7D8N10GTWG
NTMFS7D8N10GTWG

制造商:

说明:
MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm

ECAD模型:
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库存量: 8,626

库存:
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生产周期:
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥36.3973 ¥36.40
¥24.8939 ¥248.94
¥17.6958 ¥1,769.58
¥16.3737 ¥8,186.85
¥15.7183 ¥15,718.30
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥13.899 ¥41,697.00
¥13.8086 ¥82,851.60
9,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
110 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
92 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS7D8N10G
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET,可最大限度地降低导通电阻,并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比,这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗,还具有低QG 和电容值,可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装,尺寸为5mm x 6mm,设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流-直流和直流-直流电源、交流-直流适配器(USB供电)同步整流器和负载开关。