NTMFS7D8N10GTWG

Name: onsemi NTMFS7D8N10GTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D8N10GTWG
Price: 40.41 RMB
Availability: OutOfStock

Mouser编号：

863-NTMFS7D8N10GTWG

制造商编号：

NTMFS7D8N10GTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

数据表:

NTMFS7D8N10GTWG 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	110 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	92 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	187 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTMFS7D8N10G
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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数据表

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Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Q_rr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低Q_G 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。

特色产品

ONSEMI

80V Single N-Channel Power MOSFETs

Offer low R_DS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

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NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET

专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。

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供货情况

库存：: 0

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在途量:: 9,000
生产周期：: 53

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥45.6633	¥45.66
	¥27.3008	¥273.01
	¥23.0746	¥2,307.46
	¥18.0348	¥18,034.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥17.0404	¥51,121.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

NTMFS7D8N10GTWG

制造商： onsemi

说明： MOSFET 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

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