NTMFS7D8N10GTWG

onsemi
863-NTMFS7D8N10GTWG
NTMFS7D8N10GTWG

制造商：

说明：
MOSFET 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

数据表:
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3,000
预期 2027/5/28
6,000
预期 2027/9/6
生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥47.3922 ¥47.39
¥31.0185 ¥310.19
¥23.165 ¥2,316.50
¥19.3569 ¥9,678.45
¥17.9444 ¥17,944.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥16.8709 ¥50,612.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
110 A
7.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
92 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS7D8N10G
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。

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