NTMTS4D3N15MC

onsemi
863-NTMTS4D3N15MC
NTMTS4D3N15MC

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 2,953

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥62.6133 ¥62.61
¥41.1094 ¥411.09
¥34.9848 ¥3,498.48
¥34.578 ¥17,289.00
¥32.3406 ¥32,340.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥28.7811 ¥86,343.30

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.45 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
293 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 177 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11 ns
系列: NTMTS4D3N15MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 38 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

工业电机驱动器

安森美电机驱动器设计用于实现全球可持续性，提供高效、可再生能源技术和智能电源。根据美国能源部 (DOE) 发布的《2020年电机系统市场分析报告》(MSMA)，工业泵和驱动器每年消耗全美电网近15%的电量。该报告还预测，使用VFD每年可以减少32.3万吨二氧化碳的排放安森美生产多种VFD半导体组件，包括栅极驱动器、MOSFET、IGBT和EliteSiC。

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

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