NTTFS3D7N06HLTWG

Name: onsemi NTTFS3D7N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS3D7N06HLTWG
Price: 22.18 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTTFS3D7N06HLTWG

制造商编号：

NTTFS3D7N06HLTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3

数据表:

NTTFS3D7N06HLTWG 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	103 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	32.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	83 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTTFS3D7N06HL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	122.136 mg

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数据表

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PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (R_DS(ON))、超低栅极电荷 (Q_g) 和低 Q_g x R_DS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Q_g 和Q_oss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。

NTTFSxD1N0xHL N通道PowerTrench® MOSFET

安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N沟道PowerTrench® MOSFET采用高性能屏蔽栅极MOSFET技术，以实现极低导通电阻 (R_{DS (on)})。这些安森美半导体单通道MOSFET具有低开关噪声/EMI，100%经过UIL测试的MSL1稳健封装设计。NTTFSxD1N0xHL MOSFET采用无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR)、符合RoHS指令的WDFN8封装。典型应用包括直流－直流降压转换器、负载点、高效负载开关和低侧开关、ORing FET、直流－直流电源和MV同步降压转换器。