NTTFS5D9N08HTWG

onsemi
863-NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG

制造商:

说明:
MOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3

ECAD模型:
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库存量: 5,810

库存:
5,810 可立即发货
生产周期:
23 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥22.6678 ¥22.67
¥14.6448 ¥146.45
¥10.0909 ¥1,009.09
¥8.1812 ¥4,090.60
¥7.8422 ¥7,842.20
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥7.6388 ¥22,916.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
80 V
84 A
5.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTTFS5D9N08H
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 Qg x RDS(ON),后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能,与Trench6系列相比,Qg 和Qoss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型,设计灵活。符合AEC-Q101标准,并具有PPAP功能,适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装,可进行自动光学检测(AOI)。

NTTFSxD1N0xHL N通道PowerTrench® MOSFET

安森美半导体NTTFSxD1N0xHL N沟道PowerTrench® MOSFET采用高性能屏蔽栅极MOSFET技术,以实现极低导通电阻 (RDS (on))。这些安森美半导体单通道MOSFET具有低开关噪声/EMI,100%经过UIL测试的MSL1稳健封装设计。NTTFSxD1N0xHL MOSFET采用无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR)、符合RoHS指令的WDFN8封装。典型应用包括直流-直流降压转换器、负载点、高效负载开关和低侧开关、ORing FET、直流-直流电源和MV同步降压转换器。