NVD5C446NT4G

onsemi
863-NVD5C446NT4G
NVD5C446NT4G

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V SL DPAK

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NVD5C446NT4G详情

库存量: 3,446

库存：
3,446 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥19.3569 ¥19.36
¥14.7239 ¥147.24
¥10.6672 ¥1,066.72
¥9.4242 ¥4,712.10
¥8.5993 ¥8,599.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥7.6953 ¥19,238.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
101 A
2.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
34.3 nC
- 55 C
+ 175 C
101 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 17 ns
正向跨导 - 最小值: 100 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 62 ns
系列: NVD5C446N
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 330 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVD5C功率MOSFET

安森美半导体NVD5C功率MOSFET符合AEC−Q101标准，可为汽车应用提供强大的解决方案。NVD5C功率MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低。这些单N通道MOSFET采用紧凑型表面贴装DPAK封装，无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。
了解详情

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

PowerTrench® MOSFET

仙童 提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童 提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 RDS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
了解更多

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。