NVMFS6H818NLT1G

onsemi
863-NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G

制造商：

说明：
MOSFET T8 80V LL SO8FL

数据表:
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库存量: 1,083

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥44.1717 ¥44.17
¥29.4478 ¥294.48
¥21.0971 ¥2,109.71
¥20.2609 ¥10,130.45
¥16.5432 ¥16,543.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥16.4641 ¥24,696.15

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
80 V
135 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NVMFS6H818NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMFS6H8x功率MOSFET

安森美半导体NVMFS6H8x功率MOSFET是80V、单N通道的小型器件，设计紧凑。这些功率MOSFET具有2.1mΩ、2.8mΩ和3.7mΩ电阻。这些器件的特性包括可最大限度降低导通损耗的低RDS(on)、低QG以及低电容。NVMFS6H8x功率MOSFET符合RoHS指令和AEC-Q101标准。这些功率MOSFET在-55°C至175°的温度范围内工作。

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 Qg x RDS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Qg 和Qoss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。

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