NVMFS6H818NT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NT1G
Price: 24.6 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NVMFS6H818NT1G

制造商编号：

NVMFS6H818NT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET TRENCH 8 80V NFET

数据表:

NVMFS6H818NT1G 数据表

ECAD模型:

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥27.798	¥27.80
	¥18.532	¥185.32
	¥13.2323	¥1,323.23
	¥11.7407	¥5,870.35
	¥11.5825	¥11,582.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥9.6728	¥14,509.20
	¥9.5146	¥28,543.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	123 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	136 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	98 ns
系列:	NVMFS6H818N
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	49 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	750 mg

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数据表

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Models

NVMFS6H818NT1G Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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