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NVMYS025N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS025N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS025N06CLTWG
Price: 11.42 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVMYS025N06CLTWG

制造商编号：

NVMYS025N06CLTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

数据表:

NVMYS025N06CLTWG 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	27.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	5.8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	3.8 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	2.5 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12.5 ns
系列:	NVMYS025N06CL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
单位重量:	75 mg

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

LFPAK4汽车用功率MOSFET

安森美半导体LFPAK4汽车用功率MOSFET是符合AEC-Q101标准的单N通道MOSFET，占位面积小 (5mm x 6mm)，非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些汽车级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+175°）。