SCT4026DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DRC15
SCT4026DRC15

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 375

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本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥125.4187 ¥125.42
¥107.5195 ¥1,075.20
¥106.0505 ¥10,605.05
¥105.09 ¥47,290.50
5,400 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
56 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
176 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
封装: Tube
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 9.5 ns
零件号别名: SCT4026DR
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

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