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EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9 6,000库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 3,975库存量
12,500预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 8,950库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12,258库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 14,203库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11,846库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4,187库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2,180库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12,148库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 8,185库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 10,869库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 2,468库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2,928库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1,998库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,019库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 980库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2,490库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC 激光驱动器 IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC 2,220库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 7,490库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 14,871库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4,950库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 1,942库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,460库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 3,818库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500