结果: 7
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
数据表
4,467库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM
数据表
2,269库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
数据表
125库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm
数据表
850库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 40
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
数据表
773库存量
800在途量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM
数据表
900在途量
最低： 1
倍数： 1
最大： 90

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube