结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module 12库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT Module 1400A 1700V 4库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module 17库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I 112库存量
90预期 2026/6/11
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 100 A PIM IGBT module 5库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT Module 450A 1700V 1库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
20预期 2026/4/28
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 10 A PIM IGBT module 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray