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NVMYS9D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS9D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS9D3N06CLTWG
Price: 12.81 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVMYS9D3N06CLTWG

制造商编号：

NVMYS9D3N06CLTWG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T6 60V LL LFPAK

数据表:

NVMYS9D3N06CLTWG 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	9.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	46 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
系列:	NVMYS9D3N06CL
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	16 ns
典型接通延迟时间:	6 ns

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数据表

NVMYS9D3N06CLTWG 数据表

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMYS9D3N06CL功率MOSFET

安森美半导体NVMYS9D3N06CL功率MOSFET是一款60V、9.2mΩ和50A单N沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低R_DS(ON)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低栅极电荷（Q_G）和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101标准，具有PPAP功能。该MOSFET适合用于电池反向保护、电源开关、开关电源以及其他需要增强板级可靠性的汽车应用。

PowerTrench® MOSFET

仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 R_DS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
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