NTMFS015N10MCLT1G

onsemi
863-NTMFS015N10MCLT1
NTMFS015N10MCLT1G

制造商:

说明:
MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET

ECAD模型:
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库存量: 235

库存:
235
可立即发货
在途量:
4,500
预期 2027/1/29
生产周期:
51
大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥17.8653 ¥17.87
¥11.413 ¥114.13
¥7.7179 ¥771.79
¥6.1246 ¥3,062.30
¥5.0398 ¥5,039.80
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥5.0398 ¥7,559.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
100 V
54 A
12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
79 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS015N10MCL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET

安森美NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET设计用于需要高热性能的紧凑高效设计。该MOSFET具有低漏极-源极导通电阻 (RDS (on)),可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低栅极电荷 (QG) 和电容,可最大限度地降低驱动器损耗。安森美半导体NTMFS015N10MCLT1G MOSFET采用小型DFN5封装,尺寸为5mm x 6mm。典型应用包括一次侧直流-直流MOSFET、直流-直流和交流-直流中的同步整流器 (SR)、电机驱动器以及USB Type-C™中的同步整流器。