FDA38N30

onsemi
512-FDA38N30
FDA38N30

制造商：

说明：
MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,901

库存：
1,901 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥39.8664 ¥39.87
¥23.3232 ¥233.23
¥19.3569 ¥1,935.69
¥17.5376 ¥7,891.92

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
300 V
38 A
70 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
60 nC
- 55 C
+ 125 C
312 W
Enhancement
UniFET
Tube
商标: onsemi
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: KR
原产国: CN
正向跨导 - 最小值: 6.3 S
产品类型: MOSFETs
系列: FDA38N30
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4.600 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.

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