FDA38N30

onsemi
512-FDA38N30
FDA38N30

制造商：

说明：
MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,274

库存：
1,274
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900
预期 2026/6/26
生产周期：
20
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 120
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¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥41.6857 ¥41.69
¥23.3232 ¥233.23
¥19.2778 ¥2,313.34

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
300 V
38 A
70 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
60 nC
- 55 C
+ 125 C
312 W
Enhancement
UniFET
Tube
商标: onsemi
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 6.3 S
产品类型: MOSFETs
系列: FDA38N30
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 4.600 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.

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