CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平，同时在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中满足最高质量标准。与硅基器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和 电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术（例如，采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4），在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%，将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。