CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平,同时在所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中满足最高质量标准。与硅基器件相比,碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和 电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术(例如,采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4),在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%,将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。

晶体管类型

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结果: 40
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 772库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

SiC MOSFETS TOLL-8
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 813库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 701库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 643库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 218库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,341库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 554库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,215库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 151库存量
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 748库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,475库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 7,898库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,639库存量
1,000预期 2026/5/28
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 115库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 345库存量
最低: 1
倍数: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 443库存量
2,000预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 10
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 852库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 391库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,700库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 60
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 437库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,211库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 725库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 853库存量
1,000预期 2026/5/21
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 192库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,450库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel