CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平，同时在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中满足最高质量标准。与硅基器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和 电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术（例如，采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4），在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%，将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。

结果: 39
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
1,391库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
1,071库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 222 A 8.5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 171 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
643库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
710库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
731库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
754库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
725库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 800库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
737库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
162库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
171库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
86库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
218库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
5,088库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
511库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
925库存量
1,000预期 2026/10/29
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 238 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,178库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
222库存量
240在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
394库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,063库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 103 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
361库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
数据表
1,054库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
数据表
1,189库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
数据表
3,648库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
数据表
433库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement