SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF 系列功率 MOSFET

威世 SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF 系列功率 MOSFET 是一款 600V 快速体二极管 N 沟道功率 MOSFET，专为零电压开关(ZVS) /软开关 PWM 拓扑，如相移桥和 LLC 转换器半桥而开发。SiHx28N60EF 和 SiHx33N60EF 系列功率 MOSFET 的反向恢复电荷(Qrr)比标准 MOSFET 低 10 倍，因此在这些应用中更安全可靠。 这使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压，有助于避免因击穿和热过应力而导致的失效。另外，更低的 Qrr 使器件的反向恢复损耗低于标准 MOSFET。这款器件的导通电阻和栅极电荷极低，因而传导损耗和开关损耗也极低，能在高功率、高性能的开关电源应用里节约能耗。该系列基于 E 系列 超级结 技术，通过了雪崩 UIS 测试，有 TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247AC 封装可选。
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结果: 31
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
数据表
7,428库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
数据表
2,551库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
数据表
1,710库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
数据表
1,044库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
数据表
1,695库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
数据表
461库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
数据表
314库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
数据表
1,516库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
数据表
475库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
数据表
2,893库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
数据表
409库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
数据表
2,927库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 600V
数据表
产品评论
7,616库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
数据表
2,996库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
数据表
835库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 20A N-CH MOSFET
数据表
1,387库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
数据表
332库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
数据表
31库存量
1,000预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 20A N-CH MOSFET
数据表
620库存量
1,000预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
数据表
953在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
数据表
975在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
数据表
500现货供应
更多信息可用
最低： 50
倍数： 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube