SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF 系列功率 MOSFET

威世 SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF 系列功率 MOSFET 是一款 600V 快速体二极管 N 沟道功率 MOSFET,专为零电压开关(ZVS) /软开关 PWM 拓扑,如相移桥和 LLC 转换器半桥而开发。SiHx28N60EF 和 SiHx33N60EF 系列功率 MOSFET 的反向恢复电荷(Qrr)比标准 MOSFET 低 10 倍,因此在这些应用中更安全可靠。 这使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压,有助于避免因击穿和热过应力而导致的失效。另外,更低的 Qrr 使器件的反向恢复损耗低于标准 MOSFET。这款器件的导通电阻和栅极电荷极低,因而传导损耗和开关损耗也极低,能在高功率、高性能的开关电源应用里节约能耗。该系列基于 E 系列 超级结 技术,通过了雪崩 UIS 测试,有 TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247AC 封装可选。
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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 153 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 55 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20.3 A 148 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB 无库存
最低: 1,000
倍数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube