SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）

Wolfspeed SiC MOSFET C3M™（采用TOLL封装）与标准硅MOSFET相比，导通电阻温度相关性要低得多。该MOSFET器件具有出色的开关速度和低导通损耗，这对于下一代电源在高功率下实现高效率至关重要。这些SiC MOSFET优化用于高性能电力电子应用，包括企业、服务器和电信电源、电动汽车充电系统、能量存储系统和电池管理系统。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
数据表
1,014库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
数据表
850库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
数据表
1,906库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
数据表
1,193库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement