SCT4013DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DRC15
Price: 271.86 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-SCT4013DRC15

制造商编号：

SCT4013DRC15

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC

数据表:

SCT4013DRC15 数据表

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	¥223.5592	¥2,235.59

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	105 A
Rds On-漏源导通电阻:	16.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 21 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	170 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	312 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	17 ns
正向跨导 - 最小值:	32 S
封装:	Tube
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	32 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	82 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
零件号别名:	SCT4013DR

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

SCT4013DR N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款高性能设备，设计用于要求苛刻的电力电子设备应用。这款设备的漏源电压额定值为750V，漏极连续电流为105A（+25°C时），具有卓越的效率和热性能。ROHM SCT4013DR具有13mΩ（典型值）低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于电源、逆变器和电机驱动器等高频应用。SCT4013DR还受益于SiC技术固有的优势，包括高击穿电压、低开关损耗和优异的导热性，这有助于减小系统尺寸并提高可靠性。该MOSFET采用TO-247-4L外壳，支持强大的热管理，易于集成到现有设计中。

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（R_DS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（I_D）和源极电流（I_S）范围为22A至120A（T_C=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。