结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 630库存量
2,000在途量
剪切带
¥301.1676
¥223.9999
¥223.9095
¥213.8186
卷轴
¥212.1688
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,143库存量
剪切带
¥225.5706
¥157.5785
¥153.4427
¥145.3293
卷轴
¥137.5549
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245库存量
剪切带
¥135.0802
¥80.8967
¥80.8176
卷轴
¥76.5123
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,609库存量
剪切带
¥109.0224
¥66.2519
¥65.2575
卷轴
¥62.7037
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 4,895库存量
剪切带
¥43.5954
¥22.6678
¥20.5999
¥18.193
卷轴
¥18.1139
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79库存量
1,000预期 2026/12/10
剪切带
¥93.3832
¥53.3473
¥47.9798
卷轴
¥45.4147
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 268库存量
剪切带
¥79.1565
¥43.6745
¥40.2054
¥39.8664
卷轴
¥35.6515
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 61库存量
4,000在途量
剪切带
¥48.2284
¥25.312
¥23.0746
¥20.8485
卷轴
¥19.6846
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 41库存量
2,000预期 2027/6/10
剪切带
¥69.5628
¥37.5499
¥34.4085
¥33.2559
卷轴
¥29.3687
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000预期 2026/11/19
剪切带
¥160.6295
¥101.0785
¥98.5925
¥96.1969
卷轴
¥94.4567
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000预期 2027/2/18
剪切带
¥56.50
¥30.0241
¥27.5494
¥25.7301
卷轴
¥24.3176
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement