SCT3030ARC15

ROHM Semiconductor
755-SCT3030ARC15
SCT3030ARC15

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC

数据表:
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¥197.1963 ¥197.20
¥142.1088 ¥1,421.09
¥124.3226 ¥12,432.26

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
70 A
39 mOhms
- 4 V, + 22 V
5.6 V
104 nC
+ 175 C
262 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 9.4 S
封装: Tube
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。

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