NVMFD5C650NLWFT1G

Name: onsemi NVMFD5C650NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD5C650NLWFT
Price: 37.92 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVMFD5C650NLWFT

制造商编号：

NVMFD5C650NLWFT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

数据表:

NVMFD5C650NLWFT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NVMFD5C650NLWFT1G详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 7,500

预期 2026/2/18
生产周期：: 19

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥42.8496	¥42.85
	¥32.1711	¥321.71
	¥23.165	¥2,316.50
	¥22.6678	¥11,333.90
	¥21.0971	¥21,097.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥18.4416	¥27,662.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-Dual-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	111 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	13 ns, 13 ns
正向跨导 - 最小值:	120 S, 120 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns, 24 ns
系列:	NVMFD5C650NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	37 ns, 37 ns
典型接通延迟时间:	13 ns, 13 ns
单位重量:	161.193 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVMFD5C650NLWFT1G 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NVMFD5C功率MOSFET

安森美半导体NVMFD5C功率MOSFET符合AEC-Q101标准和生产件批准程序 (PPAP)，适合用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和低电容，可将驱动器损耗降到最低。这些功率MOSFET经100%雪崩测试，并具有可湿侧面选项，用于增强型光学检测。