SCT4013DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DW7TL
SCT4013DW7TL

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 344

库存：
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27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥230.7799 ¥230.78
¥189.9982 ¥1,899.98
¥186.8568 ¥18,685.68
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥185.2861 ¥185,286.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
98 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
合规: Done
配置: Single
下降时间: 17 ns
正向跨导 - 最小值: 32 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: SCT4013DW7
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SCT4013DW7 N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N沟道SiC功率MOSFET是一款750V、13mΩ低导通电阻MOSFET，设计用于快速开关。SCT4013DW7具有快速反向恢复功能，易于并联和驱动。ROHM SCT4013DW7非常适合用于太阳能逆变器、感应加热和电机驱动器。

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

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