NVTFWS002N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS002N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS002N04XMTAG
Price: 13.69 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-VTFWS002N04XMTAG

制造商编号：

NVTFWS002N04XMTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVTFWS002N04XMTAG 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NVTFWS002N04XMTAG详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WDFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	114 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	62 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	59 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	NVTFWS002N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	6 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVTFWS002N04XMTAG 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVTFWS002N04XM MOSFET

安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R_DS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、114A连续漏极电流以及2.45m漏极-源极电阻（10V时）。安森美NVTFWS002N04XM MOSFET采用3.3mmx3.3mm小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流应用。