NTD360N80S3Z

onsemi
863-NTD360N80S3Z
NTD360N80S3Z

制造商:

说明:
MOSFET SF3 800V 360MOHM DPAK

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
360 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
25.3 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTD360N80S3Z
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 360 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET

安森美 (onsemi) NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET优化用于反激式转换器的一次开关,可降低开关损耗和外壳温度。此MOSFET包含一个内部齐纳二极管,可提高ESD能力。安森美 (onsemi) NTD360N80S3Z MOSFET具有800V漏极-源极电压 (VDSS)、360mΩ最大漏极-源极电阻RDS(on),以及13A最大漏极电流 (ID)。典型应用包括适配器/充电器、LED照明、AUX电源、音频和工业电源。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET,旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能,是高性能应用的理想选择。除高性能外,SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性,特别是在尺寸受限的设计中。

库存量: 1,959

库存:
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生产周期:
49 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1   最多: 50
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥36.1487 ¥36.15
¥18.6902 ¥186.90
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥18.6902 ¥46,725.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。