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封装 / 箱体
晶体管极性
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
数据表
2,311库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
509库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
数据表
515库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
793库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
数据表
833库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
数据表
564库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
数据表
235库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
数据表
4,146库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
数据表
688库存量
1,000预期 2026/7/27
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
数据表
261库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
60库存量
600预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,104库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
402库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
493库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
数据表
591库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
464库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
167库存量
600预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
数据表
30库存量
300预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,677预期 2026/8/10
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
193库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
600预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3