650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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531库存量
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2,329库存量
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卷轴: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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597库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
数据表
461库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1,402库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
数据表
4,575库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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802库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
数据表
722库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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90库存量
600预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,106预期 2026/2/17
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
406库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
496库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
数据表
1库存量
600预期 2026/4/1
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
470库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
数据表
848库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
311库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
数据表
74库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
219库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
600预期 2026/2/10
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3