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STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
09/26/2025
该器件为电动汽车OBC（车载充电器）的DC/DC转换器级提供带有NTC的六块拓扑结构 。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
09/26/2025
该电源模块为混合动力与电动汽车的OBC提供带有集成NTC的三相四线PFC拓扑结构。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
10/19/2023
设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
10/01/2023
采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
08/18/2023
汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET具有650V阻断电压。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
05/08/2023
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
03/24/2023
具有两个IGBT和二极管，采用紧凑、坚固的表面贴装封装。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
01/25/2023
高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
10/19/2022
采用终极MDmesh K6技术设计的高压N沟道功率MOSFET。
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
06/24/2022
采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
06/21/2022
采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
05/27/2022
适用于中/高压，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
05/25/2022
设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。
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Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
04/02/2026
相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
03/27/2026
性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
03/27/2026
凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
03/20/2026
一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
03/17/2026
该系列为N沟道标准电平80V或100VMOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
03/17/2026
该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
03/09/2026
设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
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