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STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
09/26/2025
该器件为电动汽车OBC（车载充电器）的DC/DC转换器级提供带有NTC的六块拓扑结构 。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
09/26/2025
该电源模块为混合动力与电动汽车的OBC提供带有集成NTC的三相四线PFC拓扑结构。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
10/19/2023
设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
10/01/2023
采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
08/18/2023
汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET具有650V阻断电压。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
05/08/2023
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
03/24/2023
具有两个IGBT和二极管，采用紧凑、坚固的表面贴装封装。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
01/25/2023
高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
10/19/2022
采用终极MDmesh K6技术设计的高压N沟道功率MOSFET。
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
06/24/2022
采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
06/21/2022
采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
05/27/2022
适用于中/高压，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
05/25/2022
设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
05/04/2022
具有出色的RDS(on) x 面积和低Qg，可实现高开关速度和低损耗。
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
01/20/2026
一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
12/19/2025
专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
12/01/2025
DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
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