650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
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晶体管极性
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

IGBT Transistors