650V碳化硅功率MOSFET

Wolfspeed 650V碳化硅功率MOSFET具有低导通电阻和开关损耗,可最大限度地提高效率和功率密度。650V MOSFET优化用于高性能电力电子应用,包括服务器电源、电动汽车充电系统、能量存储系统、太阳能 (PV) 逆变器、不间断电源和电池管理系统。与硅器件相比,Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET可将开关损耗降低75%,导通损耗变成 ½,功率密度提高3倍。

结果: 20
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 2,498库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial 1,014库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial 644库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 1,023库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial 1,168库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 1,285库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 611库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 694库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4 267库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4 345库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 850库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1,906库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial 1,193库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 1,679库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial 419库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial 206库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 602库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial 1库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
450预期 2026/2/25
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial 无库存
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement