结果: 50
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
数据表
1库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.4 GHz 25 dB 10 W - 65 C + 150 C Screw Mount PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L 368库存量
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 300 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 240
倍数： 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 100 V 1.2 GHz to 1.4 GHz 18 dB 330 W + 150 C SMD/SMT NI-780S Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 150
倍数： 150
卷轴: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 1.8 A 65 V 2.7 GHz to 3.1 GHz 17.2 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount OM-780-2 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 110 V 960 MHz to 1.215 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V 无库存交货期 14 周
最低： 240
倍数： 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
数据表
无库存交货期 10 周

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MP075N-54M
数据表
无库存交货期 1 周
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004-200M
数据表
无库存交货期 1 周
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S006N-1000M
数据表
无库存交货期 1 周
最低： 1
倍数： 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors AFV121KHR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 112 V 960 MHz to 1.215 GHz 16.9 dB 1.23 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
数据表
无库存交货期 10 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
数据表
无库存交货期 99 周
最低： 500
倍数： 500
卷轴: 500

N-Channel Si 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.1 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount TO-270WBG-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE8VP8600HR5
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 50
倍数： 50
卷轴: 50

N-Channel Si 17 A 115 V 470 MHz to 860 MHz 21 dB 140 W - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors AFM912NT1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
数据表

Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 13.3 dB 15.7 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel