单N沟道功率MOSFET

安森美(onsemi)单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计,占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容,最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美(onsemi)单N沟道功率MOSFET无铅,符合RoHS指令。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 320库存量
1,500预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,000
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE 23库存量
1,500预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1
最大: 310
: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 52库存量
1,500预期 2026/10/13
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 176库存量
3,000预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 64库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK
3,000预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 59 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2
10,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 80
: 5,000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 310 A 580 uOhms - 12 V, 16 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
7,755在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 440
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
13,601预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel