NVMJD010N10MCLTWG

onsemi
863-VMJD010N10MCLTWG
NVMJD010N10MCLTWG

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V N-CH LL IN LFPA

数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.8771 ¥27.88
¥20.5999 ¥206.00
¥14.3058 ¥1,430.58
¥12.1588 ¥6,079.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.2377 ¥24,713.10

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
2 Channel
100 V
62 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
26.4 nC
- 55 C
+ 175 C
84 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 最小值: 61 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 32 ns
系列: NVMJD010N10MCL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMJD010N10MCL功率MOSFET

安森美（onsemi）NVMJD010N10MCL功率MOSFET是一款双N沟道MOSFET，设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。该功率MOSFET的漏-源电压为100V，漏极电阻为10mΩ，连续漏极电流为62A。NVMJD010N10MCL MOSFET具有总栅极电荷（QG）低和电容小的特点，从而可以最大限度地减少驱动器损耗。该MOSFET采用5mmx6mm扁平引线封装，是一款符合AEC-Q101标准的MOSFET。该器件无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令。该功率MOSFET非常适合用于电磁阀驱动器低侧/高侧驱动器、汽车发动机控制器和防抱死制动系统。

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