SCT4018KRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KRC15
SCT4018KRC15

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 6

库存：
6
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在途量:
450
预期 2026/6/18
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥293.3141 ¥293.31
¥218.3725 ¥2,183.73
¥218.2821 ¥98,226.95

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
81 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 22 S
封装: Tube
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 21 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: SCT4018KR
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

SCT4018KR N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款坚固耐用的设备，优化用于要求苛刻的应用中的高效电源转换。 ROHM SCT4018KR的漏源电压额定值为1200V、漏极连续电流为81A（+25°C时），在高压环境中性能出色。该设备具有18mΩ 的低典型导通电阻，并支持快速开关速度，可以显著减少开关损耗，提高整体系统效率。SCT4018KR设备采用TO-247-4L封装，非常适合用于工业电源、太阳能逆变器和电机驱动器。SCT4018KR MOSFET充分利用了SiC技术的优势，具有出色的导热性、高温操作性能和增强的可靠性，使其成为紧凑型高性能电源系统的理想之选。

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