功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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3,256库存量
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
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3,650库存量
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
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6,794库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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884库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,395库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
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974库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
数据表
产品评论
2,914库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
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801库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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250库存量
1,000预期 2026/7/31
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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74库存量
1,000预期 2026/12/21
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: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
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1,156库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
数据表
751库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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1,796库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
数据表
1,721库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
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2,750库存量
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倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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7,410库存量
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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491库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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475库存量
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倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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688库存量
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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2,265库存量
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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485库存量
最低： 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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958库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
数据表
1,681库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
数据表
845库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
数据表
772库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3