GP2T080A120U

SemiQ
148-GP2T080A120U
GP2T080A120U

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET

数据表:
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数量 单价
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¥59.6414 ¥59.64
¥34.4085 ¥344.09
¥28.7811 ¥3,453.73
¥24.6453 ¥12,569.10

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
80 mOhms
- 5 V, + 20 V
2.8 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
商标: SemiQ
配置: Single
下降时间: 10 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 6 ns
系列: GP2T080A120U
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.

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