CoolMOS™ C7功率MOSFET

Infineon CoolMOS™ C7功率MOSFET标志着技术的革命性进步，它实现了低RDS(on)/封装，而且，由于其开关损耗低，故在整个负载范围内提高效率。C7系列优化用于太阳能、服务器、电信和UPS等应用中的硬开关拓扑（如功率因数校正 (CCM PFC)、双晶体管正激 (TTF) 和太阳能升压）。该系列器件具有650V击穿电压，因此适合用于需要额外安全裕度的太阳能和开关模式电源 (SMPS) PFC级。这些器件具有全球最低的RDS(on)。采用TO-247封装的导通电阻为19mΩ，采用TO-220和D2PAK封装的导通电阻为45mΩ。借助C7的快速开关性能，客户可以大于100kHz的开关频率运行器件，并可实现服务器PFC级的钛金级效率。

结果: 73
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
360库存量
500预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
99库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
6库存量
720预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
数据表
41库存量
240预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
194库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
1,000预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
数据表
958在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
479在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
240预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
数据表
240预期 2027/2/18
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 500
倍数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 40 C + 150 C 103 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
数据表
无库存交货期 39 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 500
倍数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube