CGHV600 6GHz GaN HEMT

科锐 CGHV600 6GHz 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT)具有比硅(Si)或砷化镓(GaAs) 晶体管更出色的性能。CGHV600 GaN HEMT 具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。这些晶体管还具有更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV600 系列设备适用于多种应用，包括蜂窝基础设施及 A 类、 AB 类及线性放大器。
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
Pd-功率耗散
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
数据表
产品评论
交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
数据表
产品评论
10库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W