High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

结果: 71
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
数据表
1,875库存量
2,000预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
数据表
392库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
数据表
670库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
数据表
475库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
数据表
385库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
数据表
385库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
数据表
441库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
数据表
562库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247
数据表
547库存量
600预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
数据表
590库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263-3
数据表
191库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 41 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
数据表
16库存量
600预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
数据表
64库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
数据表
156库存量
600预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
数据表
149库存量
600预期 2026/8/10
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-
数据表
5库存量
600预期 2026/8/14
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
数据表
9库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
数据表
无库存交货期 34 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-
数据表
无库存交货期 31 周
最低： 600
倍数： 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET UJ4SC075010L8S
数据表
无库存

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/10MOSICFETG4TOLL
数据表
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET