IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx碳化矽（SiC）MOSFET的高阻断电压与低导通电阻[RDS(ON)]相结合。导通电阻在25mΩ和160mΩ之间，漏极连续电流（ID）在20A和111A之间。这些器件具有高速开关特性、低电容，并具有超快速的内在二极管。这些器件的漏-源电压（VDSS）额定值为650V或1200V。IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET采用三种封装（TO-263-7L、TOLL-8和TO-247-4L）供货。

结果: 13
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
数据表
78库存量
800预期 2026/6/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
数据表
2,090库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
数据表
900库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
数据表
900库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
550库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
550库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
数据表
550库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263
数据表
76库存量
800预期 2026/2/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
更多信息可用

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
数据表

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TOLL
数据表
更多信息可用

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TOLL
数据表
更多信息可用

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
数据表
更多信息可用

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement