IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx碳化矽(SiC)MOSFET的高阻断电压与低导通电阻[RDS(ON)]相结合。导通电阻在25mΩ和160mΩ之间,漏极连续电流(ID)在20A和111A之间。这些器件具有高速开关特性、低电容,并具有超快速的内在二极管。这些器件的漏-源电压(VDSS)额定值为650V或1200V。IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET采用三种封装(TO-263-7L、TOLL-8和TO-247-4L)供货。

结果: 13
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900库存量
剪切带
¥107.3613
¥60.794
¥59.9691
¥56.8277
卷轴
¥56.8277
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263 894库存量
剪切带
¥64.6021
¥43.7536
¥31.9338
卷轴
¥28.7811
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 890库存量
剪切带
¥73.7777
¥40.2845
¥37.0527
¥34.3294
卷轴
¥34.3294
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 900库存量
剪切带
¥89.3378
¥49.6296
¥47.234
¥44.1717
卷轴
¥44.1717
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813库存量
剪切带
¥98.5925
¥64.9298
¥58.647
¥53.3473
卷轴
¥48.8838
最低: 1
倍数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2,084库存量
剪切带
¥107.3613
¥60.794
¥59.9691
¥56.0819
卷轴
¥56.0819
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2,095库存量
剪切带
¥72.9528
¥39.7873
¥36.5555
¥36.1487
¥34.239
卷轴
¥34.239
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2,090库存量
剪切带
¥88.253
¥49.0533
¥46.4882
¥44.0022
卷轴
¥44.0022
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520库存量
¥109.3501
¥62.037
¥57.4831
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET TO247 1200V N CH 20A 542库存量
剪切带
¥61.5398
¥33.0073
¥26.9618
卷轴
¥26.9618
最低: 1
倍数: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550库存量
¥74.9416
¥40.9399
¥35.482
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550库存量
¥89.9932
¥62.037
¥45.0757
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537库存量
剪切带
¥100.6604
¥65.0202
¥60.2968
卷轴
¥52.6128
¥50.2963
最低: 1
倍数: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement