1200V CoolSiC肖特基二极管

Infineon 1200V CoolSiC肖特基势垒二极管采用TO-247封装、TO-220封装和DPAK封装，其正向电流分别高达40A、20A和10A。CoolSiC二极管设计用于太阳能逆变器、UPS、3P SMPS以及能量储存与电机驱动应用。这些二极管降低了正向电压和温度依存性，从而使系统效率提升到新的水平。此外，与硅基解决方案相比，热性能的提高增加了系统可靠性，还能提高既定形状因子下的输出功率。它们结合了Si高速3 IGBT，可将Si IGBT导通损耗降低40%，同时降低电磁干扰。
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
数据表
997预期 2026/4/2
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.65 V 70 A 3 uA - 55 C + 175 C IDH08G120C5 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT Single 5 A 1.2 kV 1.8 V 59 A 33 uA - 55 C + 175 C IDK05G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC CHIP/DISCRETE
数据表
480预期 2026/6/11
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDW40G120C5 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
数据表
954预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 5 A 1.2 kV 1.5 V 59 A 2.5 uA - 55 C + 175 C IDH05G120C5 Tube
Infineon Technologies 碳化硅肖特基二极管 SIC DISCRETE
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

SMD/SMT Single 16 A 1.2 kV 1.95 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C IDK16G120C5 Reel