eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V，具有出色的开关性能。该款GaN FET（氮化镓场效应晶体管）具有极低的QC（栅极电荷）和QOSS（输出电荷），使其能够进行高速运转，进而实现出色的功率效率。

结果: 12
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
数据表
1,976库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
数据表
1,945库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
数据表
1,904库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
数据表
1,976库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 17A FET
数据表
2,060库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8075 650V 17A FET
数据表
1,728库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8072 100V 60A FET
数据表
1,705库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8073 150V 28A FET
数据表
4,698库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 29A FET
数据表
286库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 11.5A FET
数据表
720库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8075 650V 11.5A FET
数据表
2,483预期 2026/3/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
数据表

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement