eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V,具有出色的开关性能。这些GaN FET具有较低的QC和QOSS参数,可实现快速的转换能力,从而获得出色的电源转换效率。

结果: 18
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 技术
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,728库存量
剪切带
¥55.8333
¥36.5555
¥26.9618
¥23.9899
¥21.1762
卷轴
¥18.4416
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 239库存量
¥79.5746
¥43.7536
¥34.4876
¥33.0864
最低: 1
倍数: 1
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2,405库存量
剪切带
¥38.3748
¥22.7469
¥18.7806
¥15.7183
¥14.8934
卷轴
¥11.9893
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2,348库存量
剪切带
¥32.092
¥16.2946
¥15.5488
¥12.9837
卷轴
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1,885库存量
剪切带
¥21.5039
¥10.5881
¥9.5146
¥7.5823
卷轴
¥6.3167
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2,329库存量
剪切带
¥22.0802
¥12.656
¥9.6728
¥8.1812
卷轴
¥6.3167
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,858库存量
剪切带
¥68.4102
¥37.0527
¥34.0017
¥33.1655
¥30.4422
卷轴
¥27.0522
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,291库存量
剪切带
¥40.8608
¥23.9899
¥19.7637
¥16.8709
¥15.6279
卷轴
¥11.2548
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 862库存量
剪切带
¥41.1885
¥21.3457
¥19.3569
¥16.8709
卷轴
¥14.3058
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2,018库存量
剪切带
¥32.2615
¥16.9613
¥15.142
¥12.656
卷轴
¥10.5881
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,488库存量
剪切带
¥29.1201
¥14.6448
¥13.56
¥11.3339
卷轴
¥9.0174
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 566库存量
剪切带
¥42.0247
¥25.4815
¥20.9276
¥17.6958
¥13.899
卷轴
¥11.9102
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 35库存量
剪切带
¥58.3193
¥34.8266
¥28.5325
¥25.7301
¥22.7469
卷轴
¥17.2099
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
Nexperia GaN 场效应晶体管 GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3