Nexperia eMode GaN FET
Nexperia eMode GaN FET具有100V至650V的电压范围和高开关性能。这些FET具有快速转换和开关能力、出色的功率效率以及低QC和QOSS值。
Nexperia低压 (<200V) eMode GaN FET在电源系统中具有出色的灵活性。这些器件具有极低的QC和QOSS值，因此具有高开关性能。可为电动交通和有线/无线变化系统实现更快充电，在 LiDAR中显著节省空间和减少BOM，在D类音频放大器中降低噪声。
Nexperia高压（200V至650V）eMode GaN FET在电源系统中具有出色的灵活性，非常适合用于低功耗650V应用。这些器件具有极低的QC和QOSS值，因此具有高开关性能，可提高650V AC/DC和DC/AC电源转换的效率。此外，BLDC和微型伺服电机驱动器或LED驱动器还可显著节省空间和BOM。
特性
- 增强型模式 - 常关型电源开关
- 超高频开关功能
- 无体二极管
- 低栅极电荷、低输出电荷
- 符合标准应用的资格
- ESD保护
- 无铅，符合RoHS指令和REACH标准
- 高效率和高功率密度
应用
- 大功率、高密度和高效电源转换
- 交流至直流电转换器
- 快速电池充电、手机、笔记本电脑、平板电脑和USB Type-C™充电器
- 数据通信和电信（AC-DC和DC-DC）转换器
- 电机驱动器
- D类音频放大器
其他资源
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发布日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2023-09-26