UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4碳化硅FET是高性能系列，具有业界最佳的性能品质因数，可在更高速度下降低导通损耗并提高效率，从而提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 选项可选，基于独特的共源共栅配置，其中高性能碳化硅JFET与共栅优化的Si-MOSFET共同封装，形成标准栅极驱动碳化硅器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现直接替换功能。设计人员可以通过用Qorvo UJ4C/SC FET替代现有Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超级结器件，在不改变栅极驱动电压的情况下显著提高系统性能。

结果: 29
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263
数据表
1,098库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263
数据表
486库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263
数据表
730库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263
数据表
787库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247
数据表
1,916库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
数据表
638库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
数据表
812库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL
数据表
816库存量
2,000预期 2026/6/3
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 180
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL
数据表
1,000库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL
数据表
1,288库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL
数据表
2,815库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL
数据表
2,844库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL
数据表
3,272库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263
数据表
520库存量
800预期 2026/7/3
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-
数据表
427库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263
数据表
297库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL
数据表
1,270库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
数据表
2,240库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
数据表
471库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
数据表
385库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
数据表
385库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
数据表
441库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
数据表
562库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247
数据表
508库存量
600预期 2027/6/3
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
数据表
149库存量
600预期 2027/6/3
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET