CoolSiC™ 汽车1700V MOSFET

英飞凌CoolSiC™汽车级1700V MOSFET可实现辅助电源和DC-DC转换器的反激式拓扑结构。该系列器件在25°C、Rth(j-c,max)条件下连续直流漏极电流（IDDC）范围为7.4A至15A；100°C条件下范围为5.6A至10.5A。英飞凌SiC沟槽MOSFET技术提供0V/20V栅源电压驱动，与大多数汽车应用反激式 控制器兼容。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
数据表

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
数据表
更多信息可用

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
数据表
更多信息可用

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement