CoolSiC™ 汽车1700V MOSFET

英飞凌CoolSiC™汽车级1700V MOSFET可实现辅助电源和DC-DC转换器的反激式拓扑结构。该系列器件在25°C、Rth(j-c,max)条件下连续直流漏极电流(IDDC)范围为7.4A至15A;100°C条件下范围为5.6A至10.5A。英飞凌SiC沟槽MOSFET技术提供0V/20V栅源电压驱动,与大多数汽车应用反激式 控制器兼容。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
740在途量
剪切带
¥58.647
¥32.092
¥29.3687
¥27.459
卷轴
¥21.6734
¥21.1762
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 364库存量
1,000在途量
剪切带
¥48.8838
¥25.6397
¥23.4136
¥21.2553
卷轴
¥18.1139
¥17.289
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK 105库存量
500在途量
剪切带
¥62.8619
¥33.8322
¥31.0185
¥29.6964
卷轴
¥24.3967
¥24.2385
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT PG-TO263-7-U01 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement