Infineon Technologies CoolSiC™ 汽车1700V MOSFET
英飞凌CoolSiC™汽车级1700V MOSFET可实现辅助电源和DC-DC转换器的反激式拓扑结构。该系列器件在25°C、Rth(j-c,max)条件下连续直流漏极电流（IDDC）范围为7.4A至15A；100°C条件下范围为5.6A至10.5A。英飞凌SiC沟槽MOSFET技术提供0V/20V栅源电压驱动，与大多数汽车应用反激式 控制器兼容。
特性
- 针对反激式拓扑结构进行了优化
- 感应（开尔文）源引脚
- 支持单极性驱动，Vgs为0V/20V
- SMD 封装
- 扩散焊接芯片粘结
- 降低开关损耗
- 效率提升
- 减少冷却工作量
- 0V关断，优化物料清单
应用
- DC-DC转换器
- 辅助电源
电路图
相关车规级CoolSiC MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™汽车用750V G1 SiC沟槽式MOSFET
帮助电动汽车制造商构建11kW和22kW双向车载充电器。
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
Infineon Technologies CoolSiC™汽车用1200V G1 SiC沟槽式MOSFET
具有同类最佳的开关性能，可耐受寄生导通。
发布日期: 2026-05-27
| 更新日期: 2026-06-21