Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

结果: 41
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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
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电源电压-最小
电源电压-最大
工作电源电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
609库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
455库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
770库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
1,214库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
535库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
1,038库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
272库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
137库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
938库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
1,156库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
575库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
1,039库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
434库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
数据表
1,333库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
266库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
75库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
189库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
189库存量
270预期 2026/12/1
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
数据表
171库存量
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
26库存量
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
数据表
1,140预期 2026/12/2
最低： 1
倍数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
810预期 2026/6/17
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
268预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
1,620预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray