结果: 5
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 17A FET
数据表
2,060库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8075 650V 17A FET
数据表
1,728库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 29A FET
数据表
286库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8074 650V 11.5A FET
数据表
720库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 SOT8075 650V 11.5A FET
数据表
2,483预期 2026/3/9
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement