MRF1K50HR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50HR5
MRF1K50HR5

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解NXP Semiconductors MRF1K50HR5详情

库存量: 46

库存：
46 可立即发货
生产周期：
10 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按50的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥3,696.2526 ¥3,696.25
¥3,201.4369 ¥32,014.37
¥3,077.9505 ¥76,948.76
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
¥3,003.4157 ¥150,170.79
100 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
36 A
135 V
1.8 MHz to 500 MHz
23.7 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230H-4S
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 33.5 S
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 1.667 kW
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: MRF1K50H
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
零件号别名: 935313284178
单位重量: 0.001 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRF1K50H 1500W射频功率晶体管

NXP MRF1K50H 1500W 射频功率晶体管将最高射频输出功率与卓越坚固结构和热性能完美结合。这款晶体管设计用于在 50V 电压下提供 1.50 kW CW 功率，减少了大功率射频放大器中的晶体管使用数量。MRF1K50H具有无与伦比的输入和输出设计，允许在1.8MHz - 500MHz宽频率范围内使用。应用包括粒子加速器的激光和等离子源、工业焊接机器、无线电和VHF电视广播信号传送器以及业务无线电线性放大器。
了解详情

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。